چکیده
نانوکامپوزیت های بر پایه ی فرمول کلی l-x) cfo +(x) lcfo) با استفاده از روش احتراق خودکار سیترات-نیترات با موفقیت سنتز شده اند. خواص نانوکامپوزیت با استفاده از پراش اشعه X و میکروسکوپ الکترون عبوری مشخص شد. باوجود کم بودن خواص مغناطیسی در دو جز، تغییر ترکیبی بسیار زیادی در مغناطیس زدایی برای نانوکامپوزیت از خود نشان دادند. اشباع مغناطیسی و پسماند مغناطیسی برای کاهش خطی فاز ضد مغناطیسی(AFM) محتوا کشف شدند. همچنین کشف شد که ثابت دی الکتریک با کاهش محتوا (AFM)کاهش می یابد. استفاده از نانوکامپوزیت در حافظه مغناطیسی تصادفی (MRAMS) و اسپینترونیک توصیه می شود.
کلمات کلیدی: نانوکامپوزیت، تبادل بایاس FM/AFM، TEM، خواص مغناطیسی، خواص دی الکتریک
چکیده